رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TSM120N06LCP ROG
Product Overview
المُصنّع:
Taiwan Semiconductor Corporation
رقم الجزء DiGi Electronics:
TSM120N06LCP ROG-DG
وصف:
MOSFET N-CHANNEL 60V 70A TO252
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
المخزون:
55476 قطع جديدة أصلية في المخزون
12899924
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TSM120N06LCP ROG المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Taiwan Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
70A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
12mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2118 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252 (DPAK)
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
TSM120
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
TSM120N06LCP ROGTR
TSM120N06LCP ROGCT-DG
TSM120N06LCP ROGTR-DG
TSM120N06LCPROGTR
TSM120N06LCP ROGCT
TSM120N06LCPROGDKR
TSM120N06LCP ROGDKR-DG
TSM120N06LCPROGCT
TSM120N06LCP ROGDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TSM680P06CH X0G
MOSFET P-CHANNEL 60V 18A TO251
DMT6016LFDF-7
MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
TSM500P02CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23
